現在のNAND型フラッシュメモリの主要な方式は、1つのメモリセル（データを読み書きする最小構成要素）に3bitを格納する「トリプルレベルセル」（TLC）方式だ。現在はメモリセル当たり4bitを格納する「クアッドレベルセル」（QLC）方式のNAND型フラッシュメモリも登場している。それぞれをどう使い分けるべきなのか。前回「QLC、TLCが生まれた今でも『SLC』のNAND型フラッシュメモリが使われ続ける理由」に引き続き、どちらが自社のニーズにより適した方式であるかを見極めるために必要なことを解説する。
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NAND型フラッシュメモリの各方式の違い
QLC方式のNAND型フラッシュメモリベンダーは、読み込み中心のワークロード（アプリケーション）での利用に照準を合わせて自社製品を開発しており、TLC方式のNAND型フラッシュメモリを置き換えようとはしていない。目指すのはHDDの代替だ。Micron Technologyが両方の方式の製造を続けているのは、こうした背景がある。
「TLC方式とQLC方式のNAND型フラッシュメモリは相互に補完できる」というのがMicronの見方だ。同社は、QLC方式はTLC方式とHDDの磁気ディスクの間の溝を埋められると考えている。データを読み込む際の消耗の影響は、磁気ディスクよりもNAND型フラッシュメモリの方が小さい。
QLC方式あるいはTLC方式のNAND型フラッシュメモリに適したワークロードの特性については、さまざまなワークロードのI/Oに着目すると、さらに詳しく説明できる。
QLC方式とTLC方式のどちらが適切かを見極める基準
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